Poids de l’Open access dans la production CNRS
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Titre
Trap states analysis in AlGaN/AlN/GaN and InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
XX
BSO - Titre
Trap states analysis in AlGaN/AlN/GaN and InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
XX
DOI
DOI
10.1016/j.cap.2017.09.003
XX
DOAI
DOAI
10.1016/j.cap.2017.09.003
XX
Identifiant WoS
WOS:000414807400005
XX
Accès ouvert
OA - Non
XX
Source - Accès ouvert
OA - Non
XX
Type d'accès
Non OA
XX
Editeur
Elsevier
XX
Source
CURRENT APPLIED PHYSICS
XX
ISSN
1567-1739
XX
Type de document
Article
XX
Notoriété
3 - Correcte
XX
CNRS
Oui
XX
CNRS - Institut
INP - Institut de physique
INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes
XX
uid:/2R25ZBVW
12/10/2021 14:52:56 (latest)
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